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深圳市光暉晟電子有限公司

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光耦
億光電子,光耦EL817C
產品介紹:


產品特點:

封裝類型

EL817S(C)(TA)-F的封裝為:
類型:SOP
引腳:4
長度:6.5mm
寬度:4.58mm
厚度:3.5mm
腳位:4.3mm(S1為3.6mm)
重量:0.23g
端到端距:7.62mm
引腳間距:2.54mm


包裝規格

EL817S(C)(TA)-F的包裝規格為:
類型:Tape&Reel(卷帶裝)
每卷:1000pcs
每標準包:1卷,共1000pcs

 

EL817(C)產品詳細規格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標準包裝 100
頻道數目 1
Input 型 DC
- 隔離電壓 5000Vrms
電流傳輸比(最小值) 200% @ 5mA
電流傳輸比(最大) 400% @ 5mA
Voltage - 輸出功率 35V
電流 - 輸出/通道 50mA
電流 - DC正向(If) 60mA
Vce飽和(最大) 200mV
Output 型 Transistor
安裝類型 Through Hole
包/盒 4-DIP (0.300, 7.62mm)
包裝材料 Tube
包裝 4PDIP
輸出類型 DC
每個芯片的通道數 1
典型正向電壓 1.2 V
最大集電極電流 50 mA
最大集電極發射極電壓 35 V
最大上升時間 18 us
最大正向電壓 1.4 V
最小絕緣電壓 5000 Vrms
最大集電極發射極飽和電壓 200 mV
最大電流傳輸比@電流 400 %
最大輸入電流 60 mA
最大功率耗散 200 mW
最大反向電壓 6 V
工作溫度 -55 to 110 °C
標準包裝 Rail / Tube
產品種類 Transistor Output Optocouplers
RoHS RoHS Compliant
輸入類型 DC
隔離電壓 5000 Vrms
電流傳輸比 200 % to 400 %
最大正向二極管電壓 1.4 V
最大輸入二極管電流 60 mA
最高工作溫度 + 110 C
最低工作溫度 - 55 C
封裝/外殼 DIP-4
封裝 Tube
正向電流 20 mA
最大下降時間 18 us
最大反向二極管電壓 6 V
輸出設備 NPN Phototransistor
電流 - 輸出/通道 50mA
電流傳輸比(最小值) 200% @ 5mA
安裝類型 Through Hole
電流傳輸比(最大) 400% @ 5mA
下的Vce飽和度(最大) 200mV
電壓 - 輸出 35V
通道數 1
電流 - DC正向(If ) 60mA
電壓 - 隔離 5000Vrms
封裝/外殼 4-DIP (0.300", 7.62mm)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

 

EL817C產品詳細規格
匹配代碼 EL817(C)
單位包 100
標準的提前期 12 weeks
VDE NY/N
最高點擊率 400%
min.oper.temp 。 -55°C
上升時間 0.004ms
通道 1
CTR在如 5mA
P( TOT )最大 200mW
汽車 NO
正向volt.ty 1.2V
Iso.voltage 5000Vrms
CTR分鐘 200%
CTR在Vce時 5V
包裝 THT
V( ECO ) 6V
V( CEO ) 35V
最小起訂量 100
封裝 TUBE
max.oper.temp 。 110°C
第一包 DIP-4
下降時間 0.003ms